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你們報告單半個個高能的GaN MMIC馬力圖像電瓦數增加器工作上在40MHz到400MHz彼此。這款實行80W電單脈沖（100US電單脈沖屏幕寬度配對和10%占空比）MMIC循壞）輸入打出馬力（P5dB），40MHz，50W速率為54%有可能30%的速率在大部件的里頭頻譜，各種在400MHz時，速率會逐漸降低到30W，速率為22%。40-400MHz頻段的馬力增益控制為25dB。這款寬度帶能是用的裁剪方法機來實行的。輸入打出電位差，并用到顯著的光纖聯通寬帶電源電路設計配對拓撲關系學。三種機的詳細分析的設計的系統并已給出配對電源電路設計。指標值免責條款-光纖聯通寬帶圖像電瓦數增加器，高工作電壓的系統，紅外光電子器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
國產產品（圖2）。直流電偏置的電壓和rf射頻打出電位差這一HIFET全都是1.4mm企事業單位名稱電芯的3倍。系統，尤其在中頻段。用相當的使用企事業單位名稱象限生產的設備的高低和象限象限生產的設備的個數國產產品，咱們可不可以改善HIFET打出電位差為貼近50歐姆，以改變寬帶網絡耐磨性。