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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為2.5mm。它在瓷磚打包二極管裝封中執行大約8 GHz。BI題材使用的特色設定的瓷磚打包二極管裝封，有彎曲成（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝措施。打包二極管裝封底端的法蘭盤時候成為電流保護跨接、rf射頻保護跨接和熱路。這臺分是契合RoHS規則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
更有效熱管散熱的低部

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機