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雙極 NPN硅微波功率晶體管MAPR-001011-850S00

2018-11-20 11:49:03 雙極 NPN硅徽波效率尖晶石管MAPR-001011-850S00，主要的特色有：粘附放射極鎮流電阻值器、快速的數子間幾何的、 寬帶網絡C類操作流程、里面輸入和輸送電阻值切換等

macom航空航天NPN硅微波功率晶體管MAPR-000912-500S00

2018-11-19 15:02:22 macom航空運輸航空工業NPN硅紅外光熱效率尖晶石管MAPR-000912-500S00， 內壁輸人和打出電位差配比，金輕金屬化方法系統， 發展導彈極鎮流熱敏電阻器，聯通寬帶C類方法， 遵循RoHS標準規范。

通用型C類Sband托盤放大器MAPP-002729-300M00——macom現貨

2018-11-19 14:52:02 實用型C類Sband鐵托盤調大器MAPP-002729-300M00，主要是簡易化的產品市場銷售時間。結晶體管用直流電源隔離開，以改善電流值量穩定平衡并構建簡單的電流值量監視器。大面積的Wilkinson組合公式器可最好殘留量地提升保持相關性并減小重大損失。因此，寬穿線簡易化了與任何的PCB用料上的50O電路設計的拼接。

60W雙極RF線NPN硅功率晶體管2N6439

2018-11-19 14:43:45 60W雙極RF線NPN硅額定功率結晶體管2N6439，225至400MHz，28V 大部分設汁于225至400 MHz頻繁 的范圍的網絡帶寬大訊號輸出的變小器級。

GaAs肖特基二極管MGS901——MACOM現貨

2018-11-15 13:53:12 GaAs肖特基電子元器件大家庭中的一員-穩壓管MGS901—MACOM期貨，COM的MGS產品GaAs肖特基電子元器件大家庭中的一員-穩壓管專為在60 GHz工做的亳米波元器件封裝供給最適的性能。

SW-313-PIN低功耗砷化鎵場效應晶體管

2018-11-15 13:50:10 SW-313-PIN低耗電量砷化鎵場滯后效應單晶體管，該電子元器件封裝類型類型在16引線工業陶瓷接觸面組裝封裝類型類型中，在保護低耗電量的直接，帶來了了從直流電到3GHz的優良性和按順序性。

AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34 AM090WX-CU-R瓷磚打包裝封GaAs公率PHEMT DC-8GHz，這這部位的總閥門厚度為9mm。AM090WX-CU-R是為高公率微波射頻軟件應用而定制的，工作的幀率多達8GHz。CU系統是專門的定制的瓷磚打包裝封，具備著直引線和插裝式蝶閥法蘭。

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59 瓷器封口砷化鎵做工作瓦數PHEMT雷達探測S光波AM060WX-BI-R，這一款分的總柵極屏幕寬度匹配為6mm。AM060WX-BI-R是為高做工作瓦數微波射頻應該用而設計的概念的，做工作頻次高達hg10 GHz。

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54 C中波段rf射頻硫化鋅管汽車雷達AM030WX-BI-R，其總柵極高寬比為3.0mm。它進行陶瓷廠家圖片BI裝封，事情次數能達10GHz。BI裝封進行特殊化設計的的陶瓷廠家圖片裝封，代有變形（BI-G）或切線（BI）引線，進行復制式裝置途徑。

超寬帶射頻晶體管驅動放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42 AMCOM的AM010WX-BI-R有的是個離散的GaAs PHEMT，其總柵極高度為1.0mm。它是在工業陶瓷廠家BI封裝，行駛達到12千兆赫。BI款型利用個性化制定的工業陶瓷廠家封裝，擁有彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝方試。

Anritsu 擰入式接頭V102M-R

2018-11-08 14:04:49 Anritsu 擰入式管接頭V102M-R，Anritsu 打造了微帶應力松弛觸片（"滾動條觸體"）。 該觸體格夠在發現體溫發生改變、受撞或激振時對相連接打造養護。 V110-1 支持于跡線大小為 0.15 亳米的微帶和共單面波導。

V 凹型凸緣啟動器V103F-R

2018-11-08 11:31:15 V 凹型凸緣開始器V103F-R，Anritsu 出具了 V110-1 去扯力觸體（也通常是指“拖拽觸體”）， 該觸體能訓練夠在突發溫度變動、擠壓或機械振動時對鏈接出具確保。 該類型的觸體支持于跡線橫向為 0.15 毫米（mm）的微帶和共水正等軸測圖波導。 當使用在共水正等軸測圖波導時，有些公程師會適用插針偏移規劃，也許就行將插針間接錫焊到跡線上銷售。

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20 V103-R 可與 V100 佛珠或 V100B 封嚴式佛珠相輔相成融合。nritsu 具備了 V110-1 微帶優質的配置觸片 （也被稱為"向下觸體"）， 該觸體驗夠在遭受溫濕度變化、相碰或震動時對連到具備防護。 該應用的觸體應應用在跡線橫向為 0.15 公分的微帶和共單面波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16 統計頻射結晶管AM005WX-BI-R，其總柵極長寬為0.5mm。它是在瓷器制品BI打包裝封形式，運營高達模型12千兆赫。BI系列表動用特出設計構思的瓷器制品打包裝封形式，還具有回彎（Bi-G）或直（BI）引線的怎么安裝具體方法。打包裝封形式底邊的蝶閥法蘭另外作為一個直流電源接地系統極、頻射接地系統極和熱路。這不分是合適RoHS標準單位的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48 C頻譜VSAT高效率寬帶網網絡適用AM032MH4-BI-R，HIFET是區域適應的認證機器增加，用作高交流電壓、高效率和寬帶網網絡適用。該電子元件的總電子元件外圍網為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高效率微波射頻適用而設汁的，辦公次數高達獨角獸6GHz。BI類別用一項特定設汁的瓷器二極管封裝，享有可以彎曲的或垂直線的引線和凸緣裝有的方式。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45 Sk線高壓力砷化鎵場邊際效應單晶體管AM030MH4-BI-R ，HIFET是區域輸入的專利技術的設備配資的高交流電壓，高工作效率，高線形度和聯通寬帶選用。該功率元件的總功率元件外場為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56 North Hills的0319NA帶寬變電器，NA編的帶寬變電器合并了0.1至300 MHz的頻帶寬度超范圍內的幾種控制電路設計配資。塑膠木箱設汁用做添加印控制電路設計板。*North Hills軟件標注151-“帶寬變電器”提拱了對于巴倫變電器題目的進一點相關信息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41 0320BF/0322BF共模賦予口BF系例取舍網絡無線電磁波調換器，一條什么干式箱式變壓器在0.1到100MHz的速率區域內保證了髙度取舍的跨頁網絡無線電磁波源。在這一種的情況下，取舍指的是某個腿相對而言于地面上的電阻相同。BF系例干式箱式變壓器兼有內嵌式共模網絡無線電磁波賦予電線，為測定取舍或UTP設備對嗓聲和電磁干擾的易單純保證了佳的行為。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低導入和調用自然耗費巴倫電力變壓器，由不穩定繞阻和基地抽頭穩定繞阻組合成的穩定環，橫向傳播工率，倆個角度配比。North Hills巴倫斯五金機械市政工程低導入和回波自然耗費。優越的的穩定是能夠 內心對稱性的的結構來控制的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447二次搬運費頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫具備了側量控制電路特征至1.2GHz的單純和真接的策略。二次搬運費頻巴倫識別指定方向盤的特性阻抗，還有就是為低進到這一領域和回波衰減使用了緊密設計構思。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫低壓變壓器，一樣 不同的用途1千赫茲- 125兆赫，由不動和平機性線圈和中心站抽頭動和平機性線圈形成的動和平機性環，交叉傳送電功率，兩人趨勢配對。北山巴倫斯緊密工業低添加圖片和回波消耗。優越性的動和平機性是借助內心軸對稱的型式來達到的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 Lk線進行高壓變壓器砷化鎵場效用單晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是進行高壓變壓器、高電機熱效率、高平滑和移動寬帶使用的區域連接申請產品配置單。該集成電路芯片的總集成電路芯片內圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電機熱效率紅外光使用而結構設計的，工做聲音頻率將高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S頻譜高增加收益高工率砷化鎵場負效應單晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是局部篩選的申請裝置配值，代替高的電壓、高工率和寬帶網軟件用。該配件的總配件外圍網為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高工率微波射頻軟件用而規劃構思的，運轉頻段到達6GHz。BI系列表運用本身特色規劃構思的陶瓷廠家封裝，具彎折或線路的引線布置方式英文。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L頻譜砷化鎵場相互作用尖晶石管高額定電壓高熱效率和帶寬用途AM010MH2-BI-R，該集成電路芯片的總集成電路芯片周圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高熱效率微波加熱用途而裝修設計的概念的，運作規律達到6GHz。BI系統主要采用屬于異常裝修設計的概念的工業陶瓷封裝類型，具微彎或條直線的引線裝置行為。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X頻譜低的噪音調大器處理器是的噪音因子很低的調大器。普遍重復使用各種類型無線wifi電傳輸機的高頻率或中頻內置調大器，各類高敏感度網上偵測機 的調大集成運放。在調大衰弱信息的場景，調大器工作中的的噪音對信息的侵擾已經過嚴重，這樣夢想減掉這類的噪音，以加強打印輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C光波PCS信號塔飛機電子的設備網絡通訊AM005MH2-BI-R。HIFET是個部分識別的國家專利的設備系統配置，代替高電壓降、高熱效率和帶寬軟件app。該元元集成電路芯片封裝的總元元集成電路芯片封裝外邊為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高熱效率微波射頻軟件app而構思的，業務率高達獨角獸6 GHz。它也是最大熱效率元元集成電路芯片封裝的比較好動力器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段頻射砷化鎵場不確定性電率管AM300MX-CU-R，這1環節的總泄水閘參數為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電率微波加熱應該用而來設計方案的，事情幀率將高達6GHz。Cu全系列選擇一個比較特殊來設計方案的淘瓷封裝形式形式，具備有站立的引線和凸緣的安裝使用的方法。封裝形式形式側面的法蘭部并且用于直流電與地面、頻射與地面和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S波長高耗油率微波頻射加熱rf頻射多晶體管AM200MX-CU-R，這部份的總閥門間距為20mm。AM200 MX-CU-R是為高耗油率微波頻射加熱app而來設計的概念的，事情規律高達到6GHz。Cu題材是種特種來設計的概念的工業陶瓷封口，具有著美式引線和凸緣重新安裝式。封口下面的卡箍一并做交流電等電位連接線、rf頻射等電位連接線和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C波長VSAT砷化鎵場不確定性公率管AM150MX-CU-R ，這有部位的總柵極厚度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高公率微波加熱應該用而開發的，事情率高達hg6GHz。Cu系就是種特定開發的瓷器裝封，具有著漸漸式引線和凸緣裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L股票波長S股票波長大輸出砷化鎵輸出場效用氯化鈉晶體管AM100MX-CU-R，這一個分的總柵極長寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出徽波app而方案的，操作速度高達模型6GHz。Cu型號也是種特種方案的瓷質裝封，具備直線行駛式引線和凸緣配置式。裝封下方的蝶閥法蘭一同身為交流電一定接地線、rf射頻一定接地線和熱路。