中文名
微波加熱元元器
AM005MH2-BI-R是GaAs HIFET BI編的1部位。HiFET也是種個部位相配的發明權主裝備配值，適用于髙壓、大輸出和寬帶網絡應運。這個部位主裝備的總周長為1分米。AM005MH2-BI-R專為高效率微波射頻利用而設計的概念，工作上率高達hg6 GHz。它也是更廣馬力設備的期望帶動系統。BI系類所選擇了特殊性設計構思的陶瓷制品芯片打包封裝，屈曲或直的引線所選擇可以加上式布置措施。芯片打包封裝下方的活套法蘭另外代替直流電接地線線、微波射頻接地線線和熱節點。此個部分符合標準RoHS。
特證
?14伏漏極偏壓
?移動寬帶區域匹配好：DC–2.4GHz
?高達hg6 GHz的中頻運作
?高增益控制：G=15dB@3.5GHz
?高功效：P1dB=25dBm@3.5GHz
?高線形度：IP3=40dBm@3.5GHz
使用
?光纖寬帶運用
?髙壓10至14V
?手機無線本地服務環鐵路網絡
?PC移動信號塔
?WLAN、中繼器和超虛擬局域網
?C股票波段VSAT
?空航電子無線通訊技術