AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系的方面。HiFET是一種種組成部門搭配的專屬了專用的設備標準配置,于高壓力、大工作效率和網絡帶寬應用。該組成部門的總專用的設備外邊為4直徑(兩種2毫米(mm)FET并聯電路圖)。AM020WH2-BI-R專為高馬力微波通信利用而設定,本職工作規律led光通量12GHz。它也是大馬力裝備的比較好驅動器環節。BI類型按照特別設計方案的瓷器封裝類型,按照放到式按照行為,會有曲折(BI-G)或直(BI)輸電線。二極管封裝最下面的法蘭盤一起用在電流等電位連接、rf射頻等電位連接和熱清算通道。此方面包含RoHS。
顯著特點
高達獨角獸12GHz的低頻工作
高增益值和高馬力,P1dB=33 dBm@4 GHz
面貼裝
有用導熱的框架
操作
無線網絡原生環道路絡
蜂窩無線網絡電安全可靠
WLAN、中繼器和超局域網ip
Ck線VSAT
預警雷達
常常
微波射頻元電子器件封裝