M/A-COM的MA4M題材MNS(金屬件質氮化物硅)硅片電阻器專為徽波線路技術應用中的高安全可靠和可抄襲特性而設計構思。一種電阻器是用底壓檢查是否液相磨合(LPCVD)制造出的,一種磨合行組成低密度、均勻的的氮化物層。一種電阻器比一樣的MOS、MIS和陶瓷圖片電阻器的表現出比較高的組織適用面積電阻(會造成存儲單片機芯片厚度更小)。蒸發器金觸頭使用于在電阻器存儲單片機芯片上作為利于粘合劑的金屬件質墊。M/A-COM MNS電阻器在150℃的額定的直流電壓下不會有展示出可測定的電阻轉化。MA4M系類片式電場所器不是個特別好的選用,用到Ku光波及以上的混徽波電路板中,低消耗、高牢靠性、小長寬比和溫濕度穩定性和可靠性分析性是重點確定基本要素。一些片式電感器于于必須直流變壓器控制器、耦合電路電感器、旁路電感器、電感過載和振動器、乘法器和濾波器中的調諧元器件封裝的廣泛應用。
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