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NPT2010B大功率射頻功率晶體管
NPT2010B大功率射頻功率晶體管
非常重要指標

NPT2010B大熱效率頻射熱效率多晶體管作業率:DC-2.2GHz 額定功率: 100W-50dBm高正規性瓷質電鍍封裝GaN工序 


品牌:MACOM

設備祥情介紹

NPT2010 GaN-HEMT不是種移動寬帶單晶體管,為DC-2.2ghz上班而網站優化。該系統方案方案在反復波、脈沖信號和直線操作方法,所在效率級為100W(50dBm),適用帶螺栓螺母活套法蘭的行業細則復合陶瓷廠家芯片封裝。

本質特征

最合適平滑和飽合應運

可從DC-2.2 GHz調諧

48V運營

工業生產準則包

高排水管道能力(>60%)

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