硅基氮化鎵寬帶晶體管,DC-6 GHz,5W,28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW,脈沖和線性操作而設計,采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,輸出功率水平高達5W(37 dBm)。在低于3GHz的頻率下,NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的聯通寬帶運轉
- NPTB00004的代替品品越來越低
- 出水有壓縮效率高(> 55%)
- 這個行業原則塑內包裝
- 28V操作使用
應用領域
- 航空運輸航天與國防安全
- 聯通寬帶互通
- 國防科技移動通訊
- 努力
- VHF / UHF / L頻譜雷達天線
- 無限根基配制
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徽波元電子元件