CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備用UMMS 0.25μm工作電壓pHEMT加工制作工藝 加工制造,以及按照的基板的通孔和環境橋。
因為創新安裝的過程 :
處理芯片的正背與此同時rf射頻和電流一定接地
焊盤和表面均電鍍金,以與共晶單片機芯片依附的辦法和熱壓鍵合工藝流程兼容。
徽波元部件
CHA7114-99F 放縮器– HPA微波射頻上行帶寬(GHZ): 8.5-11.5增益值(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB輸出(dBm):-讀取瓦數(dBm):39.8定貨交貨:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備用UMMS 0.25μm工作電壓pHEMT加工制作工藝 加工制造,以及按照的基板的通孔和環境橋。
因為創新安裝的過程 :
處理芯片的正背與此同時rf射頻和電流一定接地
焊盤和表面均電鍍金,以與共晶單片機芯片依附的辦法和熱壓鍵合工藝流程兼容。