CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理選取標準規定的pHEMT生產工藝生產:柵極尺寸0.25μm,憑借的基板的通孔,冷空氣橋和光電束柵極夜刻。
它以處理器手段供應。
紅外光元電子部件
CHA2069-99F 放大器– LNA
rf射頻網絡帶寬(GHZ):16 - 31增益控制(dB):22增益控制同軸度(dB):1低頻噪音指數公式(dB):2.5P-1dB模擬輸出(dBm):10定貨交貨期:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理選取標準規定的pHEMT生產工藝生產:柵極尺寸0.25μm,憑借的基板的通孔,冷空氣橋和光電束柵極夜刻。
它以處理器手段供應。