CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它裝修設計軟件應用于從軍事到企業通信設備系統性的比較廣泛軟件應用。
該電路系統進行pHEMT工藝的技術營造,柵極高度為0.15μm,在襯底的通孔,空氣當中橋和光電束柵流星刻的技術營造。
它以集成電路芯片狀態打造。
微波射頻元元器
CHA2157-99F 放大器– LNA
頻射上行寬帶(GHZ):55-65增益值(dB):10增加收益同軸度(dB):1噪聲污染比率(dB):3.5P-1dB打印輸出(dBm):15訂購交貨期:3-4周CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它裝修設計軟件應用于從軍事到企業通信設備系統性的比較廣泛軟件應用。
該電路系統進行pHEMT工藝的技術營造,柵極高度為0.15μm,在襯底的通孔,空氣當中橋和光電束柵流星刻的技術營造。
它以集成電路芯片狀態打造。