CHA5266-QDG是一款三級單片GaAs中功率放大器。
它設計構思采用于從工程專業到商業性溝通模式的范圍廣采用。
該控制電路采取pHEMT工藝的技術產生,柵極段長度為0.25μm,依據基材的通孔,空氣當中橋和電商束柵流星刻的技術產生。
它以滿足RoHS的SMD打包封裝給出。
紅外光元功率器件
CHA5266-QDG 放大器– MPA
rf射頻上行寬帶(GHZ):10-16增加收益(dB):23IP3(dBm):35P-1dB傳輸(dBm):25.5輸出的電功率(dBm):27進貨交貨期:3-4周CHA5266-QDG是一款三級單片GaAs中功率放大器。
它設計構思采用于從工程專業到商業性溝通模式的范圍廣采用。
該控制電路采取pHEMT工藝的技術產生,柵極段長度為0.25μm,依據基材的通孔,空氣當中橋和電商束柵流星刻的技術產生。
它以滿足RoHS的SMD打包封裝給出。