CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產品為汽車雷達和中國電信等一些RF開關電源APP展示 公用和寬帶網改善計劃書。
它是依據SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT工藝開放的,且越來越達到RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006提示的暫行規定。
它以裸基帶芯片主要形式提出者,以及還要其他相配電線。
微波加熱元功率器件
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻帶寬度(GHz): 14 @ 6業務次數(GHz):最常6個達到飽和狀態工作電壓(W): 20PAE(%)@頻繁(GHz): 60 @ 6定購貨期:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產品為汽車雷達和中國電信等一些RF開關電源APP展示 公用和寬帶網改善計劃書。
它是依據SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT工藝開放的,且越來越達到RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006提示的暫行規定。
它以裸基帶芯片主要形式提出者,以及還要其他相配電線。