CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產品設備為雷達探測和5G等多種多樣RF電使用可以提供基礎和寬帶網改善策劃方案。
該線路是在SiC襯底上采取0.25μm柵長的GaN HEMT枝術加工的。
它以裸心片主要形式確立,或者是需要外邊適合電線。
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CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻率(GHz): 18 @ 6事情率(GHz): 很多6個過飽和電率(W): 88PAE(%)@率(GHz): 65 @ 6定貨交貨時間:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該產品設備為雷達探測和5G等多種多樣RF電使用可以提供基礎和寬帶網改善策劃方案。
該線路是在SiC襯底上采取0.25μm柵長的GaN HEMT枝術加工的。
它以裸心片主要形式確立,或者是需要外邊適合電線。