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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

重要性產品參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射帶寬使用（GHz）： 1.2-1.4小預警增益控制（dB）：20電率（W）：200有關的增加收益（dB）： > 14P-1dB工作輸出（dBm）：-PAE（％）： 52定購交貨期：3-4周

物品情況詳細介紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

尤其時候單脈沖聲納軟件。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT施工工藝上明確提出的。它來源于準MMIC能力。

它選擇抽真空活套法蘭陶瓷圖片金屬件電源適配器打包封裝，可帶來低鉆入和低熱導率。