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CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管
更重要叁數

CHZ015AaQEG  內部匹配的GAN功率晶體管

頻射傳輸速率(GHz): 1.2-1.4小移動信號增益控制(dB):16工作效率(W):15一些增益控制(dB): > 14P-1dB輸出的(dBm):-PAE(%): > 55定貨貨期:3-4周

品牌:UMS微波

車輛情況介召

CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為L中波段的各種各樣RF工作電壓軟件提高了寬帶網絡處理情況報告。該電路原理十分的適于脈沖激光雷達探測用。

CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝技術上推出的。它通過準MMIC枝術。

它以適合RoHS的SMD裝封出示。