EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口高寬比為120μm,0.152um。T形鋁鎂合金攔污柵都具有低電容和表現出色的耐用性。
該元器件顯視出是高的跨導,因此造成是高的率和低噪音分貝耐熱性。
它以單片機芯片內容保證,配有能夠孔拼接的源極,僅需約束柵線和漏極線。
紅外光元電子器件
EC2612-99F 晶體管
微波射頻網絡帶寬(GHz): 整流-40增益值(dB):9.5低頻噪音標準值(dB):1.5備貨貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口高寬比為120μm,0.152um。T形鋁鎂合金攔污柵都具有低電容和表現出色的耐用性。
該元器件顯視出是高的跨導,因此造成是高的率和低噪音分貝耐熱性。
它以單片機芯片內容保證,配有能夠孔拼接的源極,僅需約束柵線和漏極線。