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CGH09120F就是種氮化鎵（GaN）高智能遷徙率氯化鈉單晶體管（HEMT），專為高熱效率的率、高增益值和寬帶網絡實力而設計的概念，這使人CGH09120F擁有MC-GSM、WCDMA和LTE變成器選用的良好使用。氯化鈉單晶體管主要采用瓷器/合金金屬法蘭片芯片封裝。

特點?UHF-2.5 GHz作業?21 dB增加收益?20W地基處-38 dBc ACLR?20W地面鋪設時35%的效應?可分為高速DPD標定