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CGH21120F是一種種氮化鎵（GaN）高電子設備遷出率晶狀體管（HEMT），專為高效化率、高增益控制和寬帶網絡功能而設計的概念，這導致CGH21120F十分好1.8-2.3GHz WCDMA和LTE調大器應運。晶狀體管按照陶瓷圖片/金屬制蝶閥法蘭封裝。

優點?1.8-2.3 GHz操作方法?15 dB增益控制?-35 dBc ACLR，20W砂石路?20W店面時35%的質量?可采用了層面DPD較正