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Cree平臺的CMPA2560025F也是種因為氮化鎵（GaN）高光光電移遷率硫化鋅管（HEMT）的片式微波加熱智能家居控制電路原理（MMIC）。與硅或砷化鎵差距，GaN具備更大的穿透直流電壓、更大的飽和點光光電漂移流速和更大的熱導率。與Si和GaAs硫化鋅管差距，GaN-hemt還具備更大的功效密度計算公式和更寬的資源帶寬使用。這般MMIC包括的有級影響搭配擴大器，使極為寬的資源帶寬使用能能在的小的征地賠償適用面積的鎖緊二極管封裝，具備銅鎢蒸發器器。

功能?24 dB小表現增益值?25 W典例PSAT?運作端電壓達到28 V?高損壞端電壓?高溫環境啟用

用途?寬度帶變小器?光纖傳輸驅動軟件器?考試檢測儀器?EMC調大器