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微波通信元元件
AM025WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總凈寬為2.5mm。它都是個陶瓷廠家封裝形式，做工作率高達模型8千兆赫。BI編按照異常設定的瓷器二極管封裝，按照嵌到式安裝使用手段，中有打彎（BI-G）或直（BI）電纜線。封口底端的法蘭片時重復使用直流電跨接、頻射跨接和熱緩沖區。此這部分貼合RoHS。
特殊性
萬代高達8GHz的中頻操作的
增益值=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
的表面貼裝
能夠散熱管的表層
應運
高最新接收入器
蜂窩無限移動基站
移動寬帶和窄帶擴大器
汽車雷達
測評議器
軍事體育
干攏器