AM012WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長度為1.25mm毫米。它是在一種衛浴陶瓷雙包操作使用超過10千兆赫。BI系統適用獨特設汁的衛浴陶瓷裝封,適用放到式按照的方式,有點彎曲變形(BI-G)或直(BI)輸電線。二極管封裝底的蝶閥法蘭還重復使用直流電壓地線保護、頻射地線保護和熱出入口。此部件具有RoHS。
表現
達到10GHz的低頻方法
增益值=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
外表貼裝
更好熱量散發的框架
APP
高動態圖片收器
蜂窩有線移動通信基站
寬帶網和窄帶圖像運放電路
統計
公測醫療儀器
在軍事
不干擾器
常常
微波射頻元電子器件