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AM005WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為0.5mm。它是一種個瓷質封口，操作平率能達到12ghz。BI題材用比較特殊設計的的陶瓷制品二極管封裝，用置于式裝置具體方法，擁有打彎（BI-G）或直（BI）輸電線。封裝類型邊側的卡箍同一用做直流電壓等電位連接、頻射等電位連接和熱緩沖區。此局部符合要求RoHS。

的特點

高至12GHz的低頻操作方法

增加收益=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz

界面貼裝

有效率排熱的最底層

利用

高動態的傳輸器

蜂窩wifi手機移動信號塔

聯通寬帶和窄帶擴大器

汽車雷達

公測分析儀器

軍事科學

干撓器