AM025WN-00-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總高寬比為2.5公厘(3個1.25豪米FET串聯)。它就是一個裸模,可操作流程高達模型15千兆赫。它會可以提供40.5 dBm的典型的飽滿工率。此環節不符合RoHS。
特征描述
萬代高達15GHz的高頻率作業
在2GHz時收獲=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
操作
蜂窩wifi信號塔
移動內網、中繼器
C中波段VSAT
汽車雷達
測評檢測設備
國防
微波射頻元電子元件
頻率:DC-15GHz
增益值:21
P1dB(DBM):38.9
PSAT(DBM):40.5
VD(V):28
AM025WN-00-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總高寬比為2.5公厘(3個1.25豪米FET串聯)。它就是一個裸模,可操作流程高達模型15千兆赫。它會可以提供40.5 dBm的典型的飽滿工率。此環節不符合RoHS。
特征描述
萬代高達15GHz的高頻率作業
在2GHz時收獲=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
操作
蜂窩wifi信號塔
移動內網、中繼器
C中波段VSAT
汽車雷達
測評檢測設備
國防