AM012WN-00-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總間距為1.25厘米。它都是個裸模,可操控可以達到15千兆赫。它可提供了具代表性的37.7 dBm的達到飽和狀態公率。此方面達到RoHS。
表現
將高達15GHz的高頻率使用
在2GHz時收獲=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
運用
蜂窩wifi移動通信基站
無限局域、中繼器
C股票波段VSAT
聲納
試驗實驗室設備
軍事訓練
徽波元集成電路芯片
頻率:DC-15GHz
增加收益:22
P1dB(DBM):36.1
PSAT(DBM):37.7
VD(V):28
AM012WN-00-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總間距為1.25厘米。它都是個裸模,可操控可以達到15千兆赫。它可提供了具代表性的37.7 dBm的達到飽和狀態公率。此方面達到RoHS。
表現
將高達15GHz的高頻率使用
在2GHz時收獲=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
運用
蜂窩wifi移動通信基站
無限局域、中繼器
C股票波段VSAT
聲納
試驗實驗室設備
軍事訓練