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采用兼備單獨柵極偏置把握的并行處理硫化鋅管的GaN HEMT放縮器的非線性強化

發表用時：2018-05-04 13:53:07     打開網頁：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：利用具備獨立性柵極偏置操控的串聯結晶體管的GaN HEMT放小器的平滑怎強。 GaN HEMT具備有較高的輸送耗油率孔隙率和較寬的速率成功效。因為，GaN HEMT的曲線典型的地比GaAs元器的曲線更差。本文作者明確說出一堆種容易的最簡單的技術來的提升GaN HEMT的曲線度。所明確說出的最簡單的技術是將元器提成與自己調整的柵極偏置電壓降串聯的好幾個子單位，后來將耗油率合并給子單位輸送。伴演增加器..
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