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DS855——相位調制直接數字頻率合成器

2018-09-12 10:54:20 ds855是高速收費站單獨小數聲音傳輸速度自動合成器（DDS）與這個32位聲音傳輸速度調諧甄別率，11位相位調變復制粘貼和11位的波動甄別率。首個奈奎斯特帶中的正弦函數交流電波能引發到靠近1.2 GHz（在2.5GHz鬧鐘傳輸速度）。初始值相位能更改為零度以下的正弦函數交流電波起。

8.0 - 12.0 GHz 集成CMOS驅動器6位數字移相器MAPS-010166

2018-09-11 14:57:04 MAPS-010166就是一款GaAs pHEMT 6六位數字移相器，模塊化CMOS驅使器，利用4 mm PQFN金屬外層貼裝封口。步長為5.6°，提供了從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設計方案 優化網絡，可很大局限性地下降相移標準內衰減的變化規律。

MAPS-010165 航空航天與國防GaAs pHEMT 6位數字移相器3.5 - 6.0 GHz

2018-09-11 14:49:57 MAPS-010165一款GaAs pHEMT 6十位數字移相器，模塊化CMOS動力器，選用4 mm PQFN塑膠板材外壁貼裝打包封裝。步長為5.6°，帶來從0°到360°的相移，步長為5.6°。該開發途經提高，可非常大程度地減輕相移範圍內衰減的發生改變。

2.3 - 3.8 GHz 相控陣雷達6位數字移相器MAPS-010164

2018-09-11 14:47:49 MAPS-010164都是款GaAs pHEMT 6十位數字移相器，集成化CMOS驅動下載器，選用4 mm PQFN金屬外觀貼裝裝封。步長為5.6°，供應從0°到360°的相移，步長為5.6°。該方案通過調整，可最明顯效率地降低相移范圍之內內衰減的不同。

1.4 - 2.4 GHz 通信天線GaAs pHEMT 6位數字移相器MAPS-0101631.4 - 2.4 GHz

2018-09-11 14:19:31 MAPS-010163就是一款GaAs pHEMT 6個數字移相器，選擇4 mm PQFN材料外層貼裝二極管封裝，集成化CMOS安裝變頻器。步長為5.6°，保證從0°到360°的相移，步長為5.6°。該設置經過簡化，可大底限地極大減少相移比率內衰減的發生改變。

8.0 - 12.0 GHz相控陣雷達4位數字移相器MAPS-010146

2018-09-11 14:13:54 MAPS-010146一款GaAs pHEMT 4五位數字移相器，模塊化CMOS帶動器，用4 mm PQFN塑料材質面上貼裝封裝。步長為22.5°，供應從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設計的概念通過優化網絡，可最主要效率地減掉相移范疇內衰減的發生改變。

MAPS-010145航空航天GaAs pHEMT 4位數字移相器

2018-09-11 14:03:14 MAPS-010145是一種款GaAs pHEMT 4個數字移相器，ibmsCMOS變頻器器，使用4 mm PQFN材料外觀貼裝芯片封裝。步長為22.5°，出具從0°到360°的相移，步長為22.5°。該結構設計所經升級優化，可較大幅度地下降相移條件內衰減的變化。

MAPS-010144相控陣雷達GaAs pHEMT 4位數字移相器

2018-09-11 13:58:37 MAPS-010144就是款GaAs pHEMT 4四位數字移相器，集合CMOSwin7變頻器，用4 mm PQFN氟塑料面貼裝封裝類型。步長為22.5°，可以提供從0°到360°的相移，步長為22.5°。該構思進行seo，可最大的殘留量地減輕相移使用范圍內衰減的轉化。

低直流電耗4位數字移相器MAPS-010143

2018-09-11 13:50:44 MAPS-010143就是一款GaAs pHEMT 4六位數字移相器，分為4 mm PQFN朔料表面能貼裝封口，集成化CMOS帶動器。步長為22.5°，具備從0°到360°的相移，步長為22.5°。該制作要經過整合，可比較大程度地抑制相移條件內衰減的變動。

DS856-高速3GHz直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:44:09 DS856有的是種飛速一直數值制成器（DDS），率調諧分別比比率32位，ROM相位分別比比率13位，DAC范圍分別比比率11位。第一點奈奎斯特帶中的余弦波可帶來到類似1.6 GHz（在3.2-GHz秒表時延）。

DS852——高速2.2 GHz直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:37:52 DS852是一個種極速馬上數碼鑲嵌器（DDS），頻點調諧判別率是32位，大幅度判別率是11位。首奈奎斯特帶中的余弦波能造成到表示1.1 GHz（在2.2-GHz數字時鐘速度）。默認值的階段能更改為絕對零度開始。該集成電路芯片有塊對相輔相成工作輸出50Ω后面。

DS707——高速啁啾直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:30:12 DS877是一種種穩定隨便羅馬數字制成器（DDS），幾率調諧區分率有32位，ROM相位區分率有13位，DAC頻率區分率有11位。DAC的養成輸入就能夠在日常堅持傳統模式，(對第一個個奈奎斯特頻段)和回零傳統模式，(對第一個個、第二步和第四奈奎斯特頻段)操作方法中間選取。

DS88高速啁啾直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:26:13 DS878有的是種高速度會數據人工器（DDS），的頻率調諧識別比率有32位，ROM相位識別比率有13位，DAC范圍識別比率有11位。DAC的模擬網輸出電壓會在沒問題實現玩法(對於獨一名奈奎斯特頻率段)和復位玩法(對於獨一名、第二種和第四奈奎斯特頻率段)工作直接選購。

超寬帶高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42 我們大家報告書好幾回種超高帶高瓦數高效應的率的GaN拖動器。行駛從100MHz到3000兆赫。很好的可是主要包括100W的打印輸出瓦數，22dB增益控制，40%的瓦數提升效應從100MHz到3000兆赫。這樣的特點是能夠 打版三個機器設備來改變的。阻抗搭配與特點的聯通寬帶線路搭配拓補組成。這兩種方法詳情結構設計水平將提出元器件和搭配線路。

40-4000MHz寬帶高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17 我門報告書新一個高耐腐蝕性的GaN MMIC最大馬力調小器工作任務在40MHz到400MHz互相。整個實行80W脈沖信號造成的（100US脈沖信號造成的：寬度和10%占空比）MMIC嵌套循環）效果最大馬力（P5dB），40MHz，50W使用率為54%約達30%的使用率在大要素的其中光波，包括在400MHz時，使用率急劇削減到30W，使用率為22%。

使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

2018-09-06 15:19:40 GaN HEMT包括高輸送的工作電壓電流黏度和網絡帶寬寬下的有工作效率率。然而 GaN HEMT的波形度一般 比GaAs集成電路芯片的波形度差。文中給出半個種非常簡單的形式來改善效果GaN HEMT的波形度。所給出的形式是將集成電路芯片分解成與獨自的控制的柵極偏置電壓電流并接的很多子單元測試卷尺寸，第二對聯單元測試卷尺寸輸送的進行工作電壓電流組合名字。

CMD273P3高隔離度低損耗寬帶DPDT轉換開關DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51 CMD273P3都是款低材料耗費網絡帶寬正把握MMIC DPDT準換電開關，主要主要包括無引腳3x3 mm外層貼裝封裝類型。CMD273P3覆蓋面直流電流至12 GHz，在6 GHz時擁有1.7 dB的低加上材料耗費和42 dB的高消毒度。CMD273P3主要主要包括0 / + 5 V相互依存把握電流邏輯學線事業。

CMD272P3低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉換開關DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11 CMD272P3也是款低耗率寬帶網絡正調整MMIC DPDT轉化成開關按鈕，進行無引腳3x3 mm表面能貼裝二極管封裝。CMD272P3涉及整流至10 GHz，復制耗率低至1 dB，6 GHz時的高隔開度為43 dB。CMD272P3進行0 / + 5 V互補原理調整相電壓規律線本職工作。

CMD215芯片形式通用寬帶射頻微波高隔離反射型MMIC SPDT開關DC-40 GHz

2018-09-05 17:03:57 CMD215是IC芯片組織形式的專用寬帶網RF /微波加熱高防護散射型MMIC SPDT電源開關。CMD215的交流電交流電壓為40 GHz，都具有2.3 dB的低放入損耗量和36 dB至20 GHz的高防護度。

DC-18GHz寬帶L波段S波段C波段X波段Ku波段SP5T非反射開關CMD235C4

2018-09-05 17:01:31 CMD235C4是款寬帶網RF /微波射頻MMIC SP5T電源開關按鈕，選取無引腳4x4 mm表面上貼裝（SMT）封裝類型。CMD235C4包裹直流電源至18 GHz，在10 GHz時具備著2.5 dB的低插入圖損失和40 dB的高分隔度。該電源開關按鈕還以及一兩個板載二進制音頻解碼器器電源線路，它將需求的邏輯學調節線占比從這幾個極大減少到這幾個。

CMD234C4寬帶RF微波非反光設計SP3T開關DC-18 GHz

2018-09-05 16:57:27 CMD234C4是款光纖寬帶RF /微波通信MMIC SP3T觸點開關，選取無引腳4x4 mm接觸面貼裝（SMT）封口。CMD234C4涵蓋直流電源至18 GHz，在10 GHz時有2 dB的低導入自然損耗和40 dB的高隔開度。

DC-28 GHz寬帶射頻微波高隔離SPDT非反射開關CMD196

2018-09-05 16:53:46 CMD196是電子器件的方式的常用光纖寬帶RF /微波通信高分隔非折射MMIC SPDT轉換開關。CMD196的直流變壓器電流值為28 GHz，導入消耗的資金低至1.75 dB，14 GHz時的高分隔度為46 dB。

CMD230寬帶射頻微波DC-26GHz低損耗寬帶性能SPDT開關芯片

2018-09-05 16:49:08 CMD230是存儲芯片形態的專用光纖寬帶RF /紅外光高防護隔離折射型MMIC SPDT啟閉。CMD230的電流工作電壓為26 GHz，插進耗率低至1.4 dB，13 GHz時的高防護隔離度為40 dB。

DC-20 GHz高隔離度L波段S波段C波段X波段Ku波段K波段SPST非反射開關

2018-09-05 16:46:29 CMD204C3也是款通用型光纖寬帶RF /微波射頻高防護隔離開度非反射面型MMIC SPST控制開關，用到無引腳3x3 mm界面貼裝（SMT）二極管封裝。CMD204C3的整流至20 GHz，復制消耗的資金低至1.3 dB，10 GHz時的高防護隔離開度為48 dB。

CMD204通用寬帶RF微波DC-20GHz正增益斜率SPST非反射開關芯片

2018-09-04 16:07:18 MD204集成ic是通用版網絡帶寬RF /微波射頻高防護隔離開無漫反射MMIC SPST按鈕。CMD204的整流端電流電壓為20 GHz，有著1.0 dB的低讀取耗損率和10 GHz時50 dB的高防護隔離開度。該按鈕應用0 / -5 V的相互依存掌控端電流電壓規律線事業，需不需要偏置24v電源。

DC-20 GHz高隔離度SP4T非反射開關CMD203C4

2018-09-04 15:58:38 CMD203C4是一種款聯通寬帶RF /徽波MMIC SP4T啟閉，主要采用無引腳4x4 mm表層貼裝（SMT）二極管封裝。CMD203C4合并直流電壓至20 GHz，加上損耗量低至2.4 dB，10 GHz時的高消毒度為39 dB。該啟閉還具有個板載二進制破譯器電源線路，它將必備的語言表達控住線總數量從4個減小到6個。

CMD203射頻微波DC-20GHz高隔離度SP4T非反射開關芯片

2018-09-04 15:51:24 CMD203一款裸片式rf射頻/微波通信MMIC SP4T電源開關按鈕，所采用裸片樣式。CMD203的整流電至20 GHz，添加自然損耗低至2.4 dB，10 GHz時的隔離霜較高達39 dB。該電源開關按鈕還是指是一個板載二進制音頻解碼器器操縱電路，它將所須的邏輯學操縱線數從4個避免到倆。

CMD196C3寬帶射頻微波DC-18 GHz低損耗寬帶性能SPDT非反射開關MMIC

2018-09-04 15:46:02 CMD196C3就是一款通用性網絡帶寬RF /微波射頻高底部要進行隔離度非全反射型MMIC SPDT控制開關，用無引腳3x3 mm表面上貼裝（SMT）封口。CMD196C3的整流工作電壓為18 GHz，存在1.5 dB的低導入損耗量和8 GHz時46 dB的高底部要進行隔離度。

CMD195C3寬帶射頻微波DC-18 GHz高隔離度L至Ku波段SPDT非反射MMIC開關

2018-09-04 15:18:04 CMD195C3也是款網絡帶寬RF /徽波MMIC SPDT旋鈕，所采用無引腳3x3 mm表明貼裝（SMT）二極管封裝。CMD195C3是指直流電壓至18 GHz（L至Ku頻段），具備有2 dB的低讀取耗用和37 dB的高底部隔離度或是正收獲斜率。正收獲斜率功能性允許的將另一個旋鈕級聯在一塊兒，而不能不收獲平衡用電線路。

L波段至K波段DC-20GHz裸片式快速切換SPDT非反射開關MMIC芯片CMD195

2018-09-04 15:10:53 CMD195也是款裸片式非反射性式GaAs徽波射頻/徽波MMIC SPDT控制面板開關，通過裸片結構類型。CMD195內容涵蓋直流電壓至20 GHz，享有2 dB的低添加損耗率和37 dB的高防護隔離度各種正收獲控制值斜率。正收獲控制值斜率工作允許的將多家控制面板開關級聯在我們一起，而不必收獲控制值均衡教育電線。