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CGHV1J006D超高壓氮化鎵（GaN）高電子元器件遷入率單晶體管 現貨黃金

發布了耗時：2019-02-22 14:16:56     手機瀏覽：1824

6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯
SKU：CGHV1J006D


Wolfspeed的CGHV1J006D也是種選取0.25μm柵極大小產生生產技術的炭化硅襯底上的髙壓氮化鎵（GaN）高自動化挪動率單晶體管（HEMT）。那樣GaN-on-SiC產品設備兼備突出的中頻，高效性形態。它可用在于運轉次數依據為10 MHz至18 GHz，40 V且具高穿透的電壓的不同的軟件應用。

特征

  • 到達18 GHz的工作

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV1J006D 1周 200
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頂值傷害工作效率 6W
應用 常用寬帶網，40 V
其最典型的的電率追加轉化率PAE 60％@ 10 GHz
常見電功率（PSAT） 6瓦
作業額定電壓 40 V
頻段 DC - 18.0 GHz
再生品類 死
小無線信號增加收益 17 dB @ 10 GHz

示意圖



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