欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混頻器。 還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。 I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶濾波要求。立維創展HMC7911LP5E為混合型單邊帶上變頻器的小型替代器件，它無需線焊，可以使用表貼制造技術。

HMC7911LP5E使用

• 點對點和點對多點無線電
• 軍用雷達、EW和ELINT
• 衛星通信
• 傳感器

HMC7911LP5E優勢和特點

• 轉換增益：18 dB（典型值）
• 邊帶抑制：30 dBc（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：2 dBm（典型值）
• 輸出三階交調截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
• IF輸入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
• RF回波損耗：13 dB（典型值）
• LO回波損耗：10 dB（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

HMC7911LP5E結構圖