欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

HMC219B不是款超大中型適用雙動平衡機混頻器，按照8引腳超大中型塑料管表貼封口，帶裸漏焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電源芯片徽波模塊化集成運放(MMIC)混頻器按照砷化鎵(GaAs)金屬制半導體元器件場不確定性結晶體管(MESFET)工藝技術打造，不需其他部件或自動匹配集成運放。該元器件適用作頻段范圍圖為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相配制器或相位非常器。 立維創展HMC219B選取經過優化平臺的巴倫構造，打造突出的本振(LO)至微波射頻(RF)底部防護及LO至中頻(IF)底部防護功效。合適RoHS準則的HMC219B不用辦理線焊，與高容積表貼制作平臺兼容。MMIC功效安全可提生平臺工作上有效率并有效確保合適HiperLAN、U-NII和ISM相關法律法規耍求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE應用領域

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖