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發表用時:2018-07-12 16:10:34 挑選:1929
XF1001-SC都是款高非線性度的Hetrojunction場效果多晶體管(HFET),進行制造業標準規范SOT-89打包封裝。當元器偏置在8V的漏極交流電壓和300m的漏極電流量時,就能夠做到更好使用性能。與此偏置點,元器件封裝并能帶來大于30 dBm的P1dB和大于46 dBm的OIP3。XF1001-SC適用性于更是高達6 GHz的選用,其增益值為10 dB。
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MACOM
XF1001-SC
封裝的HFET,高線性度的Hetrojunction場效應晶體管
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