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UMS分米波內部管理適配GAN最大功率結晶體管

發布信息準確時間:2022-04-13 16:54:30     搜素:964

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS厘米波提供數據根據ASIC或子目錄車輛的全地方報價為,大部分來源于大公司里面的的III-V能力,并提供數據全多方面的借款合同服務性,使顧客可能同時加入屬于自己的產品解決方法方式。UMSmm毫米波的任何文件目錄產品的從DC到100GHz都研究背景GaAs、Gan和SiGe技藝,其中包括萬代高達200W的工率圖像變小電路、結合數據信息工作、特低燥音圖像變小電路和全面的收發的時候器設計。UMS好產品以摸具的的方式具備,但大多數以多處理器傳感器的的方式封裝。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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