制造業介紹
發布信息準確時間:2022-04-13 16:54:30 搜素:964
GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管
UMS厘米波提供數據根據ASIC或子目錄車輛的全地方報價為,大部分來源于大公司里面的的III-V能力,并提供數據全多方面的借款合同服務性,使顧客可能同時加入屬于自己的產品解決方法方式。UMSmm毫米波的任何文件目錄產品的從DC到100GHz都研究背景GaAs、Gan和SiGe技藝,其中包括萬代高達200W的工率圖像變小電路、結合數據信息工作、特低燥音圖像變小電路和全面的收發的時候器設計。UMS好產品以摸具的的方式具備,但大多數以多處理器傳感器的的方式封裝。
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Reference | RF Bandwidth (GHz) | Small signal Gain | Power | Associated Gain | PAE | DC Bias | Case | |
min | max | |||||||
CHZ180AaSEB | 1.2 | 1.4 | 20 | 200 | >14 | 52 | VDS 45V @ ID_Q 1.3A | Ceramic Metal Flange |
CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN Plastic package |
CHZ8012-QJA | 2.6 | 3.4 | 16.5 | 12 | 11 | 55 | VDS 30V @ ID_Q 180mA | QFN Plastic package |
CHZ9012-QFA | 2.7 | 3.4 | 16 | 65 | 12 | 55 | VDS 30V@ID_Q 800mA | QFN Plastic package |