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正式發布時:2022-06-15 16:38:22 訪問:1385
氮化鎵(GaN)耗油率半導體設備高先進技術為改善頻射/微波射頻瓦數變小器耐腐蝕性具體行政行為了龐大貢獻者。采用極大減少元電子元器件封裝的附生電子元器件封裝,所采用更短的柵極長寬高和會高的電壓值幀率,GaN結晶體管要求了最高的傷害輸出、更寬的網絡帶寬和更加迅速的直流電電源開關微波射頻速率。
跟隨著以GaN布料材質為表示的其次代半導體材料電子元件的起源,GaN HEMT這是因為其寬頻寬隙而大受留意,高熱傳導性、高穿透場強和高閥值電子為了滿足電子時代發展的需求,更改傳送速度。應用于GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
河南市立維創展科枝是Teledyne防務電子器件的經售商,帶來Teledyne防務手機軟件主要包括LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防務光電設備線扶持寬頻帶寬度、窄帶、輸入脈沖增加器,頻帶寬度1MHz~220GHz,工作效率mW~10kW,優勢的渠道展示 Teledyne防務自動化進貨,熱情接待資詢。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |