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Ck線CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT電源芯片CREE

披露耗時:2022-07-20 16:36:43     預覽:889

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

功能

17dB舉例。10GHz時的小表現增益值值

60%典型示范值。10GHz時的PAE

6W典型示范Psat

40伏反控

高至18GHz的遠程控制

app

衛星信號通訊網絡

PTP通訊設備無線連接

島嶼雷達探測

游艇碼頭預警雷達

渤海灣運輸船只道路服務管理

移動寬帶變小器

高效、性價比最高率擴大器

CREE.png

CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳必備條件305年的寬帶網GAP鋼筋取樣料和不斷創新好產品,CREE科銳有的是個完整詳細的設計方案合作方式粉絲,符合國家頻射的標準,CREE科銳為行業內人士科技領先于的設施設備設施設備帶來更強的電率和更低的實用功能自然損耗。CREE科銳由最逐漸的GaN基面材料LED食品技巧智領全游戲世界,到微波加熱rf射頻與厘米波電子器件食品,CREE科銳于2017年剝離 出微波加熱微波射頻國際品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大電機功率放小器物品為廣州特色。

東莞市立維創展科持是CREE的經銷處商,占有CREE徽波功率器件優點采購橋梁,并長時間存儲期貨,僅作國餐飲市場意愿。

商品詳情學習CREErf射頻微波加熱請點擊量://www.anchor-appliance.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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