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Qorvo的AH118-89G是一種款主要包括低生產成本表皮貼裝裝封的高動態化依據能夠器放小器。InGaP / GaAs HBT才能在寬面積內完成高特性，這里面+ 40.5 dBm的OIP3和+ 24.7 dBm的壓縮成1 dB公率。AH118-89G采取無鉛/有機/符合規則RoHS規則的SOT-89裝封。整個功率器件均過100％RF和DC試驗。

AH118-89G的總體目標是在必須高線型和一般工作效率的遠程條件服務設施選用作軟啟動器變成器。組織結構偏置能AH118-89G在正個水溫領域內持續高波形度，并會直接在單一個+5 V供電下崗位。這類組合使該功率器件已成為某個和下新一代多載波3G移動基站發送器方式卡的極佳選定。

AH118-89G主要結構特征

• 60至3500 MHz
• + 24.7 dBm PIdB
• +40.5 dBm傳輸IP3
• 在900 MHz時增益控制為20.4 dB
• 1900 MHz時增加收益為16.5 dB
• + 5V單正電源適配器
• 無鉛/墨綠色/ RoHS兼容
• SOT-89封裝

AH118-89G典型示范APP