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C中波段氮化鎵 HEMT圖像電壓放大器CGHV1F025 CREE

正式發布時段:2022-08-17 16:53:17     網頁瀏覽:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S經營在40伏鐵路交通道岔上,芯片封裝在3mmx4mm;表皮連接;雙平扁無絞線(DFN)封裝。少了工作效率;CGHV1F025可從40V至20VVDD電壓降下工作;持續高增益控制和的效率高率。

特證

敢達15GHz的操縱

25W明顯輸出公率

9.4GHz時11dB增加收益值

8.9–9.6GHz的方法應該用線路

應該用

L;S;C;X 和Ku中波段變成器

CREE(科銳)公司設立于1987年,CREE科銳提供30余年的網絡帶寬GAP原的材料料和技術創新企業產品,CREE科銳都是個完整詳細的方案合作方式火伴,完全符合頻射的意愿,CREE科銳為行業界技術主設備遙遙領先的機器主設備主設備展示更強的電率和更低的工作耗損率。CREE科銳由最逐漸的GaN基面材料LED車輛的技術精英型全環境,到微波加熱頻射與直徑波存儲芯片車輛,CREE科銳于2017年離心分離出微波通信頻射廠家Wolfspeed,以帶寬、大工作功率調大器產品的為優勢。

杭州市立維創展科技開發是CREE的銷售商,獲得CREE紅外光元器的優勢訂貨方法,并太久庫存積壓現貨黃金,以防我國的市場各種需求。

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 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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