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?CG2H80120D C波長GaN HEMT 電子器件CREE

發布新聞周期:2022-11-16 16:53:01     網頁瀏覽:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高微電子移動率結晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相對較,GaN具備條件最好越的特點;CG2H80120D一般包括更多些熱擊穿場強;更多些飽和點電子廠漂移帶寬;和更多些熱導率。與Si和GaAs晶胞管相對來說較,CG2H80120D應有更大耗油率規格和更寬的傳輸速率。

功能

120W經典傳奇PSAT

28伏操縱

高擊穿電壓場強

中高溫度控制電腦

高至8GHz的超控

高效應的率

軟件應用

2路專用無線路由通信技術

寬帶網絡縮放器

蜂窩基本體系搭建

測評設施設備

ClassA;AB;一般適用OFDM的平滑放小器;wlan頻分多址;邊側;CDMA波形圖

CREE(科銳)公司設立于1987年,CREE科銳掌握30多年后的光纖寬帶GAP原料料和企業創新服務,CREE科銳也是個詳細完整的制作協作火伴,達到頻射的的需求,CREE科銳為行在業內技術專業的系統裝備給出更強的公率和更低的基本功能耗損。CREE科銳由最已經的GaN基本材料LED食品技術性遙遙領先全中國,到徽波rf射頻與mm毫米波集成ic食品,CREE科銳于2017年拆分出徽波頻射公司Wolfspeed,以光纖寬帶、大工作功率調大器軟件為代表性。

北京市立維創展科技創新是CREE的總經銷商商,存在CREE微波加熱元器件封裝優質供貨合同校園推廣渠道,并繼續存量現貨平臺,僅作中國大市場中需要量。

商品詳情頁熟知CREE微波通信射頻微波通信請點擊量://www.anchor-appliance.cn/brand/35.html

CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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