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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

不可能，孩子們竭盡全力的重大成就造成無源GaN混頻器的設計的概念在插入三階交調截點（IIP3）與網上震蕩器（LO）驅動安裝包器的比重角度超越因此砷化鎵（GaAs）無源混頻器的設計的概念 - a品性質數自定義MMIC正創新線形能力。從S股票光波到K股票光波（2 GHz到19 GHz），這樣一種新型無源GaN混頻器作品展示的IIP3數碼遠遠遠超出30 dBm，LO驅動安裝包電平約為20 dBm，線形能力遠遠超出10 dB。

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