欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区

?SemiGen肖特基電感

正式發布精力：2023-05-29 17:00:04 瀏覽器：1056

SemiGen的硅肖特基肖特基二極管全力于40GHz內水平的應用領域領域訴求設計預案。特有工作水平可以通過各式各樣塑料材料預案為低、與高阻隔起來水平應用領域領域可以提供穩定性勝機。之后導致是兼有嚴厲把控濾波電容的低內阻穩壓管，夠達成最高的人生產率。SemiGen肖特基二級管低交流溝通損耗率和成績突出的TSS進而使電感變成了了作業頻段從S頻譜到Ka光波的發現器/混頻器工藝應用和解調器、低效率禁止器和高度旋轉開關的最好挑選。

的特點：

多結整理處理器

低1/F解決

工作小結電容（電容器）

廣泛應用：

符合于混頻器、探測系統器、倍頻器和氣調器。

SemiGen是瑞典哪家晶圓級微波射頻電子元件實力派演員派研制商，從晶圓到封裝形式電子元件, 產品線非常豐富，從航空航天級MIL-PRF 38534到警用MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen非常重視于給予好的效果和是真的嗎性。

廣州市立維創展高新科技有現公司，品牌授權加盟代理于中國現代部分市場SemiGen設備，并提供數據售中和售后維修售后服務枝術可以支持售后服務。

商品詳情頁知道SemiGen請點：//www.anchor-appliance.cn/brand/64.html

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SLB100	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB101	3.0	0.280	0.20	20.0	-52
SLB102	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB103	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB104	3.0	0.250	0.15	20.0	-55
SLB105	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB106	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB107	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB108	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB109	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB110	3.0	0.300	0.14	20.0	-50
SLB111	3.0	0.320	0.25	20.0	-48
SLB112	4.0	0.250	0.20	20.0	-55
SLB113	4.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB114	4.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB115	4.0	0.320	0.15	0.35	-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SMB200	3.0	0.400	0.14	20.0	-52
SMB201	3.0	0.400	0.20	20.0	-50
SMB202	3.0	0.400	0.12	20.0	-48
SMB203	3.0	0.400	0.14	20.0	-45
SMB204	4.0	0.425	0.15	20.0	-52
SMB205	4.0	0.425	0.15	20.0	-50
SMB206	4.0	0.425	0.12	20.0	-48
SMB207	4.0	0.425	0.14	20.0	-45
SMB208	4.0	0.450	0.14	20.0	-52
SMB209	4.0	0.450	0.15	20.0	-50
SMB210	5.0	0.450	0.14	20.0	-48
SMB211	5.0	0.450	0.25	20.0	-45
SMB212	5.0	0.475	0.21	20.0	-52
SMB213	5.0	0.475	0.15	20.0	-50
SMB214	5.0	0.475	0.12	20.0	-48
SMB215	5.0	0.475	0.15	20.0	-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SHB300	5.0	0.500	0.14	25.0	-52
SHB301	5.0	0.500	0.20	25.0	-50
SHB302	5.0	0.500	0.12	25.0	-48
SHB303	5.0	0.500	0.14	25.0	-45
SHB304	5.0	0.525	0.15	25	-52
SHB305	5.0	0.525	0.15	25.0	-50
SHB306	5.0	0.525	0.12	25.0	-48
SHB307	5.0	0.525	0.14	25.0	-45
SHB308	6.0	0.550	0.14	25.0	-52
SHB309	6.0	0.550	0.15	25.0	-50
SHB310	6.0	0.550	0.14	25.0	-48
SHB311	6.0	0.550	0.25	25.0	-45
SHB312	6.0	0.600	0.21	25.0	-48
SHB313	6.0	0.600	0.15	25.0	-45
SHB314	6.0	0.600	0.12	25.0	-42
SHB315	6.0	0.600	0.15	25.0	-40

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: 32 位 PSoC? 6 Arm? Cortex?-M4 / M0+微控制器Cypress