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正式發布時間:2023-09-13 16:58:47 搜索:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
功能
輸人替換
較為常見的脈沖造成的多次波使用性能;960–1215MHz;50V;三層;128μs輸入脈沖大小;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的打印輸出額定功率;上班率=68%;增益值值=17dB
無鉛并滿足需要RoHS規則
操作科技領域
聲納調小器
CREE(科銳)注冊于1987年,CREE科銳必備30這些年的寬帶網GAP原村料料和去創新的產品,CREE科銳就是一個詳細的構思公司合作朋友,滿足微波射頻的消費需求,CREE科銳為行同行業系統當先的服務器機械設備提供數據更強的效率和更低的功用材料耗費。CREE科銳由最逐漸開始的GaN材料LED新服務科技最前沿全的世界,到徽波頻射與分米波處理芯片新服務,CREE科銳于2017年提取出微波通信頻射品脾Wolfspeed,以寬帶網、大電功率縮放器廠品為獨具特色。
成都市立維創展信息技術是CREE的供應商商,獲得CREE微波加熱元器件封裝強勢供貨校園推廣渠道校園推廣渠道,并繼續交易量外盤,以作中國國銷售市場市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |