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28-32 GHz（Ka頻段）GaN功率放大器MMIC

CMD217有的是款8.5 W RF /徽波GaN MMIC輸出變成器集成ic，相對應采用Ka頻段溝通系統性，在這其中高輸出和高線性網絡度是必切勿少的結構設計規定要求。該電子器件給予不小于20 dB的增加收益，響應的效果1 dB再壓縮點為+36.7 dBm，飽和點效果電工率為+39.3 dBm，電工率疊加高效率為35％。CMD217變成器主要包括50歐姆適應方案，不用再冗余DC電源模塊和RF網口適應。CMD217還供給全部鈍化，以提升 準確性和防潮濕性。

品牌	型號	貨期
Custom mmic	CMD217	3-4周

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表現形式

• 的效率非常好
• 高直線度
• 大額定功率
• 正收獲斜率
• 存儲芯片尺碼小

叁數	基本特征
聲音頻率（GHz）	28 - 32
增益控制（dB）	20
燥音指數（dB）
相位低頻噪音（dBc / Hz）
輸出P1dB（dBm）	36.7
輸出的Psat（dBm）	39.3
OIP3（dBm）	41
偏置交流電壓Vdd / Vgg（V）	+28 / -3.4
偏置交流電（mA）	580

CUSTOM MMIC功率放大器用于射頻功率放大器設計的C，X，K，Ku和Ka波段GaAs和GaN MMIC

一般而言，一流的RF /紅外光軟件控制操作系統方案制作和子構件的的尺寸面臨限止，另外想要比當下水平更為重要的曲線度區間。高端定制MMIC始終堅持于供給了足夠RF /紅外光軟件操作系統極低所在瓦數和高曲線具體需求的GaAs和GaN所在瓦數增加器（PA），并且供給了極具帶寬寬的小型的裸片和表面能貼裝（SMT）封裝類型。是由于看出更好的電力設備性能方面僅占一大半，Custom MMIC供給了越來越多所在瓦數增加器，分為50歐姆適配方案制作和單一化正偏置主機電源電阻值，可影響繁多的偏置隊列，而使影響成本價并合理利用余地。其他的功能模塊還比如：高所在所在瓦數，高曲線度和優異的速度。高所在瓦數硬度GaN MMIC方案制作也是常用的。

頻率 （GHz）:DC - 32

增益 （dB）:11-30

噪聲 系數 （dB）:3-6.5