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?CGHV35150 S中波段工作效率增加器CREE

分享時期：2023-10-16 16:55:53     查看：873

Wolfspeed的CGHV35150是款很的設計的優質率氮化鎵(GaN)高手機知識率結晶體管(HEMT)；高增益值和光纖寬帶網絡寬帶網絡性；這也促使CGHV35150特意更適合2.9–3.5GHzS股票波段汽車雷達拖動器運用。CGHV35150應用工業陶瓷/鋁合金活套法蘭和藥丸式芯片封裝。

特性

載荷系數數量=150W@TCASE=85°C

次數時間范圍=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB功效增益值值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時經典漏級吸收率為50%

輸進適用

<0.3dB單脈沖波動大大減少

選用領域

S頻譜雷達探測擴大器

CREE（科銳）注冊成立于1987年，CREE科銳符合30年的光纖寬帶GAP原料料和不斷創新軟件，CREE科銳有的是個完整篇的設計方案相互合作好朋友，遵循頻射的各種需求，CREE科銳為行行業內技術水平智領的機子機器給予更強的額定功率和更低的功能鍵損耗費。CREE科銳由最逐漸的GaN基本材料LED物料科技最前沿全世間，到紅外光頻射與豪米波單片機芯片物料，CREE科銳于2017年分割出微波加熱頻射品牌形象Wolfspeed，以聯通寬帶、大輸出拖動器服務為特色文化。

北京市立維創展社會是CREE的加盟商商，有著CREE微波射頻電子元器件優缺點要貨產品線，并經常性存貨期貨，以備不時之需中國國家市面具體需求。

詳情介紹要了解CREErf射頻微波射頻請單擊：//www.anchor-appliance.cn/brand/35.html

CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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