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CREE的CGHV96130F是氧化硅(SiC)材料的特性上的氮化鎵(GaN)高轉入率氯化鈉晶體管(HEMT)與各種能力相比之下，CGHV96130F內部結構滿足(IM)FET包括非常出色的電機功率增加工作效率。與砷化鎵相對比，GaN具備著更加好的功效；具有會高的擊穿電壓場強；會高的飽和電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移快速和會高的熱導率。與GaAs多晶體管相對比，GaN HEMT還擁有挺高的工作效率孔隙率和更寬的下行帶寬。CGHV96130F選擇彩石/瓷質卡箍芯片封裝可能改變最好的的電器設備和熱穩確定高性。

有特點

166WPOUT（主要表現值）

7.5dB馬力增益值值

42%非常典型PAE

50Ω外部配適

<0.3dB輸出功率越來越低

好產品規格尺寸

敘說：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；通常于X中波段統計應該用的設置/轉換兼容GaNHEMT

面積最小工作頻率(MHz)：8400

最大的工作頻率(MHz)：9600

最多值打出電功率(W)：130

速率（％）：42

特殊直流電壓(V)：40