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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高智能遷出率氯化鈉晶體管(HEMT)。具備條件前所沒有的復制粘貼，可以在DC-2.0GHz范疇兩到提拱比較好的的瞬時帶寬安全性能。與硅或砷化鎵相比之下較，CGHV40180具有著愈來愈出眾的效果；收錄更加高的熱擊穿場強；更加高的呈現飽和狀態電子設備漂移速度快與更加高的導熱性標準值。與Si和GaAs晶胞管對比較，CGHV40180還帶來越來越高的輸出功率規格和更寬的網絡帶寬。CGHV40180使用2輸電線鋁合金/瓷磚卡箍盤和藥丸式封口，夠進行更好電力和熱比較穩界定。

特性

放入不替換

180W(CW)平均電功率

250W經典公率

24dB典例小手機信號增益控制值

28V和50V采用

應用軟件這個領域

聲納探測系統

醫療管理調養

帶寬縮放器

訊息安全防護VHF-UHF

民防日本軍事通迅設備

貨品規格

詳情：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉移率晶胞管

低些次數(MHz)：0

最好幀率(MHz)：2000

最低值輸送工作電壓(W)：200

增益值值(聲音頻率)：24.0

吸收率（％）：70

額定功率的電壓(V)：27

內型：封裝形式分立納米線管

封口行業類型：法蘭片盤、丸狀

高技術用：GaN-on-SiC