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CGHV50200F是種幫著制定用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

特證

4.4–5.0GHz上班

180W分類PSAT

11.5dB比較普遍公率增加收益值

48%通常外接電源成功率

50Ω里面匹配

選用層面

通信衛星聯系

撼動視覺——BLOS

煙囪效應層磁學散射通信技術

車輛型號

介紹：200瓦；4400-5000MHz；50Ω復制粘貼/輸出精度配適；氮化鎵高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉遷率結晶管

最便宜幀率(MHz)：4400

最底次數(MHz)：5000

最大值工作輸出耗油率(W)：200

收獲值(dB)：11.5

辦公轉化率（％）：33

功率交流電壓(V)：40

結構類型：封裝樣式結構類型分立單晶體管

二極管封裝類:法蘭部盤

技術應用軟件：GaN-on-SiC