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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特證

7.9–8.4GHz運作

80WPOUT（舉例值）

>13dB輸出增益控制值

33%經典平滑PAE

50Ω內外部套裝搭配

<0.1dB熱效率縮減

應該用區域

衛星信號通信

室內地坪網絡帶寬

產品樣式

敘說：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；導入/轉換套裝搭配GaNHEMT

很低頻點(MHz)：7900

很高頻段(MHz)：8400

高達值輸入輸出公率(W)：50

增益控制值(dB)：13.0

高效率（％）：33

功率電壓值(V)：40

結構：芯片封裝結構分立多晶體管

裝封結構類型類屬：法蘭部盤

方法應該用：GaN-on-SiC