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CMPA1C1D060D是款氧化硅多晶硅上跟據氮化鎵 (GaN) 高電子元器件知識率氯化鈉晶體管 (HEMT) 的單面微波通信融合電源線路 (MMIC)；CMPA1C1D060D應運0.25 μm柵極尺碼打造生產技術。與硅相較于較，GaN-on-SiC具備著更好比較好的效果；砷化鎵或硅基氮化鎵；分為更為重要的損壞場強；更為重要的趨于穩定網絡漂移能力和更為重要的導電因子。

優點

應具 26 dB 小表現增益控制值

60 W 舉例 PSAT

額定負載電流值高至 40 V

高電壓擊穿場強

耐高溫度操作

應用范圍

PTP 無線網絡通訊

衛星信號聯系上漲外鏈

企業產品產品規格

文章的話：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 電機功率變成器

評均次數(MHz)：12700

至高聲音頻率(MHz)：13250

比較高值轉換工作功率(W)：65

收獲值(dB)：26.0

轉化率（％）：30

特殊端電壓(V)：40

摸式：MMIC 裸片

芯片封裝類：Die

技術水平適用：GaN-on-SiC