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CREE的CMPA2735030是種表明氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波射頻集成型電源線路 (MMIC)。與硅或砷化鎵較之較，GaN兼有非常出色的耐腐蝕性；以及更強的電壓擊穿場強；更強的達到飽和狀態電子器材漂移學習效率和更強的傳熱數值。與Si和GaAs氯化鈉晶體管相信較，GaN HEMT還提供了了更大的電功率強度和更寬的傳輸速率。CMPA2735030分為有級電抗適用工率變成器開發難點，還可以保證甚為寬的下行帶寬。

結構特征

額定電壓降高達模型 50 V

高擊穿電壓場強

寬為 5mm x 5mm；QFN 芯片封裝

高溫度度使用的

應運范圍

商用型和軍用用電磁汽車雷達工作電壓調小器

好產品金橋銅業跨接線的截面積大小

描繪：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 輸出擴大器

最便宜頻次(MHz)：2700

很高頻段(MHz)：3500

最好值輸入輸出電機功率(W)：30

增益控制值(dB：)30.0

工做有效率（％）：45

額定功率輸出功率(V)：50

結構：離散裸基帶芯片

芯片封裝分類：Die

工藝：GaN-on-SiC

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