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UMS微波射頻CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

結晶體管以裸晶片形勢展示 ，要外表適應三極管就能加以發揮作用其潛質。盡管，恰是這一種結構設計優勢給了CHK5010-99F大量的職能和普遍的使用潛質。主要的特殊性分為其漂亮的聯通寬帶的能力，可以更是高達12 GHz的電脈沖和連著波操作方法。基本概念GaN技術，該構思可控制高導出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時控制較佳效能。不僅如此，該融合電路芯片擁有0.90x0.80x0.1mm的緊湊型suv大小，就算在受阻的環境中就可以便捷融合。除去其優異的穩定性，CHK5010-99F還非常符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006規則，狠抓應急和應急。這讓顧客在利用和利用服務時順心，而無須好怕對場景的不利于會影響。雖然，CHK5010-99F也是款指的信服的高耐磨性GaN晶狀體管，擁有廣泛的的app和好品質的技能。其真令人需求深切的耐磨性和適合職業要求使其變為rf射頻效率app的可以信賴決定，為該范疇開拓了新的也許 性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

珠海市立維創展科技開發比較有限工司授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。