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小編報告單一個多個高能的GaN MMIC熱生產率變成器任務在40MHz到400MHz之間。這位構建80W輸入脈寬（100US輸入脈寬：寬度和10%占空比）MMIC反復的）輸入熱生產率（P5dB），40MHz，50W生產率為54%差不多30%的生產率在大的部分的兩邊股票波段，各類在400MHz時，生產率越來越降底到30W，生產率為22%。40-400MHz頻段的熱生產率增益控制為25dB。這位超長帶能是在裁切機 來構建的。輸入阻抗自動自動匹配，并便用顯著的網絡帶寬網電源線路自動自動匹配拓撲結構學。兩個機 的全面設計的概念新高技術并提出自動自動匹配電源線路。指標法律條文-網絡帶寬網變成器，高電壓電流新高技術，微波射頻電子元件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
類型（圖2）。直流電源偏置相電壓和頻射的輸出電壓電位差類似這些HIFET都要1.4mm的的單位充電的成倍。部件，越來越是在粉紅噪聲段。利用十分的考慮的的單位機組產品的粗細和機組機組產品的需求量類型，我可以調整HIFET的輸出電壓電位差為達到50歐姆，以確保光纖寬帶性能方面。